Ядерна фізика та енергетика Nuclear Physics and Atomic Energy   ISSN: 1818-331X (Print), 2074-0565 (Online)   Publisher: Institute for Nuclear Research of the National Academy of Sciences of Ukraine   Languages: Ukrainian, English   Periodicity: 4 times per year   Open access peer reviewed journal

Full text (ua)

O. V. Konoreva, P. G. Litovchenko, E. V. Maliy, I. V. Petrenko, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk, V. V. Shlapatska^*

Institute for Nuclear Research, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine
^*L. V. Pisarzhevsky Institute of Physical Chemistry, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Abstract: Microplasma breakdowns of red and green GaP diodes were studied. It has been shown that tunneling was the main component of reverse current at the beginning of the breakdown while an avalanche current prevailed at high breakdown current. Microplasma spectrum is considered to be the result of the overlapping of hot carrier emitting and recombination amitting of impurity level-valence band. 2 MeV electron irradiation leads to the decrease of microplasma number due to the radiation defect creating.

Keywords: gallium phosphide, light emitting diode, microplasma, breakdown.

1. Маронюк С. Светодиоды широкого применения. Новости электроники 12 (2006) 22.

2. Ермаков О. Н., Сушков В. П. Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы (Москва: Радио и связь, 1990) 239 с.

3. Числов А. А. Исследование и прогнозирование радиационной стойкости светодиодов из фосфида галлия: Автореф. дис. … канд. тех. наук. ГУЛ НПЦ "СПУРТ" (Москва, 2005) 18 с.

4. Андреев В. М., Долгинов Л. М., Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (Москва: Сов. радио, 1975) 327 с.

5. Беляев А. Е., Болтовец Н. С., Венгер Е. Ф., Канакова Р. В. Физические методы диагностики в микро и наноэлектронике (Харків: ИСМА, 2011) 384 с.

6. Берг А., Дин П. Светодиоды. Пер. с анг. под ред. А. Э. Юновича (Москва: Мир, 1979) 686 с.

7. Ионычев В. К., Ребров А. Н. Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах кремниевых лавинных эпитаксиальных диодах. ФТП 43 (2009) 980.

8. Булярский С. В., Сережкин Ю. Н., Ионычев В. К. Влияние ловушек на запуск лавины при пробое фосфидгаллиевых p-n-переходов. Письма в ЖТФ 25 (1999) 9.

9. Викулин И. М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов (Москва: Сов. радио, 1980) 293 с.

10. Орешкин П. Т. Физика полупроводников и диэлектриков (Москва: Выcш. шк., 1977) 448 с.

11. Друзенко Н. В., Куц В. І., Чирко Л. І., Тартачник В. П. Деградаційні та відновні процеси у зворотно-зміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора. ВАНТ 1 (2010) 112.

12. Пронин Б. В., Рыжиков И. В. Исследование туннельного пробоя и фотоэлектрических свойств p-n переходов из AlxGa1-xAs и GaAs1-xPx при обратном смещении. ФТП 6 (1972) 1432.