![]() |
Ядерна фізика та енергетика
ISSN:
1818-331X (Print), 2074-0565 (Online) |
Home page | About |
Long-range effect in condensed matter and its revealing in implanted with high energy light ions silicon
A. A. Groza, P. G. Litovchenko, M. I. Starchik,V. I. Khivrych, G. G. Shmatko, V. I. Varnina
Institute for Nuclear Research, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine
Abstract: Experimental and theoretical results of long-range effects in condensed materials after energy influence were analyzed. The experimental results for silicon monocrystals irradiated by high energy hydrogen and helium ions are presented. The effect of radiation was found in the region far beyond the ion stopping range ("long-range effect") which cannot be explained in the framework of the ion implantation theory. Assumption was made concerning the soliton's mechanism of the propagation of the radiation effect.
Keywords: silicon, ions, radiation, long-range effect.
References:1. Lindhard J., Scharff V., Shiott H. E. Range concepts and heavy ion-range. Mat. Fis. Medd. 33 (1963) 1.
2. Томпсон М. Каналирование частиц в кристаллах. УФН 99 (1969) 297.
3. Тетельбаум Д. И., Баянкин В. Я. Эффект дальнодействия. Природа 4 (2005) 9.
4. Тетельбаум Д. И., Пантелеев В. А., Гуткин М. В. Эффект дальнодействия при малоинтенсивном облучении кремния светом. Письма в ЖЭТФ 70 (1999) 381.
5. Кладько В. П., Крыштаб Т. Г., Клейнфельд Ю. С. и др. Влияние утоньшения подложки на оптические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галия (эффект дальнодействия). Физика и техника полупроводников 26 (1992) 368.
6. Хмелевская В. С., Малынкин В. Г. Эффект дальнодействия и коллективные процессы в металлах. Материаловедение 2 (1998) 25.
7. Хмелевская В. С., Малынкин В. Г., Канунников М. Ю. "Эффект дальнодействия" как проявление коллективного взаимодействия в облучаемой металлической системе. Поверхность 7 (2003) 66.
8. Хмелевская В.С ., Антошина И. А., Кордо М. Н. "Эффект дальнодействия" в материалах различной природы. Физика металлов и металловедение 103 (2007) 652.
9. Алалыкин А. С., Крылов П. Н., Шашкевич М. В. Эффект дальнодействия в полупроводниках. Вест. Удмурд. ун-та. 4 (2005) 141.
10. Псахье С. Г.. Зольников К. П., Кадыров Р. И. и др. О возможности формирования солитоноподобных импульсов при ионной имплантации. Письма в ЖТФ 25 (1999) 7.
11. Овчинников В. В. Радиационно-динамические эффекты. Возможности формирования уникальных структурных состояний и свойств конденсированных сред. УФН 178 (2008) 991.
12. Овчинников В. В. Динамические эффекты дальнодействия при облучении. Радиационные методы обработки материалов. Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы 8-й Междунар. конф., Минск, 23 - 25 сент. 2009 г. (Минск: Изд. центр БГУ, 2009) c. 113.
13. Kögler R., Peeva A., Werner P. et al. Gettering centres in high-energy ion-implanted silicon investigated by point defect recombination. Nucl. Instrum. and Methods Phys. Res. B 175-177 (2001) 340. https://doi.org/10.1016/S0168-583X(00)00533-4
14. Гроза А. А., Литовченко П. Г., Старчик М. І. Ефекти радіації в інфрачервоному поглинанні та структурі кремнію (Київ: Наук. думка, 2006) 124 с.
15. Варніна В. І., Гроза А. А., Литовченко П. Г. та ін. Оптичні та структурні дослідження протонно-опроміненого монокристалічного кремнію. Укр. фіз. журнал 48 (2003) 269.
16. Макаренко Л. Ф., Коршунов Ф. П., Ластовский С. Б., Хиврич В. И. Образование дефектов в запробежной области кремниевых структур, облученных альфа-частицами. Материалы и структуры современной электроники: ІІІ Междунар. науч. конф., 25 - 26 сент. 2008 г. (Минск, 2008) c. 4 .
17. Сугаков В. Й. Основи синергетики (Київ: Обереги, 2001) 287 с.
18. Селищев П. А. Самоорганизация в радиационной физике (Київ: Аспект-Поліграф, 2004) 239 с.
19. Чалий О. В., Лукомський В. П., Ганджа І. С. та. ін. Нелінійні процеси в фізиці: коливання, хвилі, самоорганізація (Київ: Четверта хвиля, 2005) 358 с.