![]() |
Ядерна фізика та енергетика
ISSN:
1818-331X (Print), 2074-0565 (Online) |
Home page | About |
Low energy implementation hydrogen facility for laboratory and industrial applications
A. V. Kovalenko, N. F. Kolomiets
Institute for Nuclear Research, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine
Abstract: The need of creation and also requirements to the construction are considered. The principle of action and physical-technical characteristics of low temperature implantation of hydrogen isotopes facility to the semiconductor structures and to the layers of metals to obtain radioisotopes energy sources of milliwatt power and β-, X-radiation sources, and neutrons accumulated targets of charged particles based on tritium accelerators are given. The preliminary results on deuterium p-i-n structure implantation of amorphous hydrogenated then dehydrogenation and implanted by heavy hydrogen silicon, which prove the possibility of low temperature implantation of tritium to these structures are given.
References:1. Тилл У., Лансон Дж. Интегральные схемы. Материалы, приборы, изготовление. Пер. с англ. Под ред. М. В. Гальнедина (Москва: Мир, 1985) 504 с.
2. В. М. Ганшин, П. П. Голокоз, Н. Ф. Коломиец и др. А. с. 315886 ССР, МКИ3 G 21 Н 1/100. Источник постоянного тока. Опубл. 17.07.88.
3. Р. Гельднер, Ю. Леонгард. Пат. 213779 (ГДР). Радиоизотопная батарея. Приоритет от 03.03.83. Опубл. 19.09.84.
4. П. П. Голокоз, А. В. Коваленко, Н. Ф. Коломиец и др. Гидрогенизация аморфного кремния методом низкоэнергетичной имплантации изотопов водорода. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника 33 (1998) 154.