Nuclear Physics and Atomic Energy

Ядерна фізика та енергетика
Nuclear Physics and Atomic Energy

  ISSN: 1818-331X (Print), 2074-0565 (Online)
  Publisher: Institute for Nuclear Research of the National Academy of Sciences of Ukraine
  Languages: Ukrainian, English
  Periodicity: 4 times per year

  Open access peer reviewed journal

 Home page   About 
Nucl. Phys. At. Energy 2001, volume 2, issue 3, pages 112-117.
Section: Radiation Physics.
Received: 15.03.2001; Published online: 30.09.2001.
PDF Full text (ua)
https://doi.org/10.15407/jnpae2001.03.112

Structural and elecrooptical properties of the silicon after neutron irradiation and high temperature treatment

M. I. Starchyk1, A. A. Groza1, L. A. Matveeva2, V. I. Varnina1, R. Yu. Holiney2, P. G. Lytovchenko1, G. G. Shmatko1

1Institute for Nuclear Research of the National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine
2Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Abstract: The process of the defect formation, supporting oxide precipitation after neutron irradiation (1015 - 1019 n/cm2) and high temperature treatment (800 - 1000 °C) of Cz silicon wafers was investigated by the transmission electron microscopy. The influence of defect transformation on electrooptical silicon properties was studied.

References:

1. Литовченко П. Г., Старчик М. И., Шевцов-Казмирчук К. М. Кинетика накопления структурных дефектов в нейтроно-облученном кремнии при высокотемпературной обработке. XIV Всесоюз. конф. по электронной микроскопии (Суздаль, 1990) с. 88.

2. Кардона Э. Модуляционная спектроскопия. Пер. с англ. М. Л. Белле (Москва: Мир, 1972) 416 c.

3. Тягай В. А., Снитко О. В. Электроотражение света в полупроводниках (Київ: Наук. думка, 1980) 302 c.

4. Aspnes D. E. Third-derivative modulation spectroscopy, with low field electroreflectance. Surf. Sci. 37 (1973) 418. https://doi.org/10.1016/0039-6028(73)90337-3

5. Borgesi A. Oxygen precipitation in silicon. J. Appl. Phys. 77 (1995) 4169. https://doi.org/10.1063/1.359479

6. Гроза А. А., Варнина В. И., Литовченко П. Г. и др. Структурно-фазовые превращения при термообработке облученного кремния и влияние их на электрофизические свойства и радиационную стойкость. Радиационное материаловедение, Алушта, 22 - 25 мая, 1990 г. (Харьков, 1990) Т. 4, c. 127.

7. Gorbach T. Ya., Holiney R. Yu., Matiyuk I. M. et al. Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments. Semicon. Phys., Quant. Electron. & Optoelectron. 1 (1998) 66. https://doi.org/10.15407/spqeo1.01.066

8. Конозенко И. Д., Семенюк А. К., Хиврич В. И. Радиационные эффекты в кремнии (Київ: Наук. думка, 1974) 200 c.

9. Гарбар И. П., Матвеева Л. А., Митин В. Ф. и др. Сильно легированные и компенсированные гетероэпитаксиальные пленки германия. Физика и техника полупроводников 21 (1987) 393.

10. Гроза А. А., Хиврич В. И. Околокраевое поглощение в кремнии, облученном нейтронами и 1,5 МэВ электронами. Физика и техника полупроводников 13 (1979) 870.

11. Венгер Е. Ф., Горбач Т. Я., Матвеева Л. А., Свечников С. В. Спектроскопия электроотражения, электронная зонная структура и механизм видимой фотолюминесценции анизотропно травленого кремния. ЖЭТФ 116 (1999) 1750.

12. Holiney R. Yu., Fedorenko L. L., Matveeva L. A. et al. Electroreflectance of porous layers obtained by stain etching of laser modified silicon. J. Phys. D: Appl. Phys. 33 (2000) 2875. https://doi.org/10.1088/0022-3727/33/22/302

13. Holiney R. Yu., Matveeva L. A., Venger E. F. Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafer. Semicond. Phys., Quant. Electron. & Optoelectron. 2 (1999) 10. https://doi.org/10.15407/spqeo2.04.010